类型描述选择?
类别 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包装 管件
产品状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 3 毫欧 @ 75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 150μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） 170 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 6540 pF @ 50 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 300W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
基本产品编号 IRFB3206
