标准包装 3，000
FET 型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS） 30V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C -
Rds（最大）@ ID，VGS 55 mOhm @ 3.2A， 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 1.4V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 4.76nC @ 4.5V
输入电容（Ciss）@ Vds的 432pF @ 15V
功率 - 最大 780mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3SOT-23
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 30 V
最大连续漏极电流 2.4 A
RDS -于 55@10V mOhm
最大门源电压 ±12 V
典型导通延迟时间 6.4 ns
典型上升时间 9.9 ns
典型关闭延迟时间 15.1 ns
典型下降时间 3.5 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±12
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-23
最低工作温度 -55
渠道类型 N
封装 Tape and_Reel
最大漏源电阻 55@10V
最大漏源电压 30
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 SOT-23
最大功率耗散 780
最大连续漏极电流 2.4
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
的Vgs（th ） （最大）@ Id 1.4V @ 250μA
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 55 mOhm @ 3.2A， 10V
FET型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide
功率 - 最大 780mW
漏极至源极电压（Vdss） 30V
输入电容（Ciss ） @ VDS 432pF @ 15V
闸电荷（Qg ） @ VGS 4.76nC @ 4.5V
封装/外壳 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 NTR4170NT1GOSCT
类别 Power MOSFET
外形尺寸 3.04 x 1.4 x 1.01mm
身高 1.01mm
长度 3.04mm
最大漏源电阻 110 mΩ
最高工作温度 +150 °C
最大功率耗散 1.25 W
最低工作温度 -55 °C
包装类型 SO-23
典型栅极电荷@ VGS 4.76 nC @ 4.5 V
典型输入电容@ VDS 432 pF @ 15 V
宽度 1.4mm
工厂包装数量 3000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
配置 Single
源极击穿电压 +/- 12 V
连续漏极电流 4 A
正向跨导 - 闵 8 S
安装风格 SMD/SMT
RDS（ON） 64 mOhms
功率耗散 1.25 W
封装/外壳 TO-236
上升时间 9.9 ns
漏源击穿电压 30 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 3.5 ns
漏极电流（最大值） 4 A
频率（最大） Not Required MHz
栅源电压（最大值） ?12 V
输出功率（最大） Not Required W
噪声系数 Not Required dB
漏源导通电阻 0.055 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏极效率 Not Required %_ 漏源导通电压 30 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
Continuous Drain Current Id :4A
Drain Source Voltage Vds :30V
On Resistance Rds(on) :45mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :1V
No. of Pins :3
Weight (kg) 0
