时间：2021-3-4 17:01:00
类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：QFET?
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id， Vgs @ 25° C：4.7 欧姆 @ 1A， 10V
漏极至源极电压(Vdss)：600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：12nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：235pF @ 25V
功率 - 最大：23W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 全封装（直引线）
包装：管件
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
600V N-Channel MOSFET | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |   | ||
600V N-Channel MOSFET | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | | ||
600V N-Channel MOSFET | KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd. | | ||
2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET | UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司 | | ||
N2 Amps竊?00Volts N-Channel MOSFET | ESTEKEstek Electronics Co. Ltd 伊泰克电子北京伊泰克电子有限公司 | | ||
2 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET | UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司 | | ||
600V N-Channel Power MOSFET | DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一电子山东迪一电子科技有限公司 | | ||
2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET | WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体股份有限公司 | | ||
2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET | WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体股份有限公司 | | ||
2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET | WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体股份有限公司 | |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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