NTR4503NT1G ON 30V 110mOhm 0.42W MOSFET - SOT-23 优势产品原装现货进口热卖
NTR4503NT1G产品详细规格
标准包装 3，000
FET 型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS） 30V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 1.5A
Rds（最大）@ ID，VGS 110 mOhm @ 2.5A， 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 3V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 7nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的 250pF @ 24V
功率 - 最大 420mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3SOT-23
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 30 V
最大连续漏极电流 2 A
RDS -于 110@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 5.8|4.8 ns
典型上升时间 5.8|6.7 ns
典型关闭延迟时间 14|13.6 ns
典型下降时间 1.6|1.8 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±20
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-23
最低工作温度 -55
渠道类型 N
封装 Tape and_Reel
最大漏源电阻 110@10V
最大漏源电压 30
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 SOT-23
最大功率耗散 730
最大连续漏极电流 2
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 1.5A (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 3V @ 250μA
封装/外壳 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
其他名称 NTR4503NT1GOSTR
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 110 mOhm @ 2.5A， 10V
FET型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide
功率 - 最大 420mW
漏极至源极电压（Vdss） 30V
输入电容（Ciss ） @ VDS 250pF @ 24V
闸电荷（Qg ） @ VGS 7nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
类别 Power MOSFET
外形尺寸 3.04 x 1.4 x 1.01mm
身高 1.01mm
长度 3.04mm
最大漏源电阻 140 mΩ
最高工作温度 +150 °C
最大功率耗散 0.73 W
最低工作温度 -55 °C
包装类型 SO-23
典型栅极电荷@ VGS 1.9 nC @ 4.5 V， 3.6 nC @ 10 V
典型输入电容@ VDS 130 pF @ 24 V， 135 pF @ 15 V
宽度 1.4mm
工厂包装数量 3000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
配置 Single
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 2.5 A
正向跨导 - 闵 5.3 S
安装风格 SMD/SMT
RDS（ON） 105 mOhms
功率耗散 0.73 W
上升时间 5.8 ns， 6.7 ns
漏源击穿电压 30 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 5.8 ns， 6.7 ns
漏极电流（最大值） 2 A
频率（最大） Not Required MHz
栅源电压（最大值） ?20 V
输出功率（最大） Not Required W
噪声系数 Not Required dB
漏源导通电阻 0.11 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏极效率 Not Required %_
漏源导通电压 30 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
Continuous Drain Current Id :2.5A
Drain Source Voltage Vds :30V
On Resistance Rds(on) :140mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :4.5V
Threshold Voltage Vgs :1.75V
功耗 :730mW
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-23
No. of Pins :3
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Current Id Max :2.5mA
工作温度范围 :-55°C to +150°C
端接类型 :SMD
Voltage Vds Typ :30V
Voltage Vgs Max :1.75V
Voltage Vgs Rds on Measurement :10V
Weight (kg) 0.000008
Tariff No. 85412900
鑫锐电子（香港）有限公司，18年元器件专业分销商 (授权与非授权品牌) ，一站式终端厂家配套：(质量保证 诚信经营)是公司的承诺，为客户提供品牌原装半导体，电子元器件终端配套市场，专注ESD/TVS静电保护二极管、LDO低功耗稳压管、MOS管、电池充电和管理电源、LED、光电耦合器、电阻电容、PCB解决方案领域（无线蓝牙解决方案、蓝牙运动版解决方案一站式、音箱、无线移动电源）。
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TLV70433DBVR、TP4101、TP5100、TP4056、RT9013-33PB、TPS73618DBVR、MIC5255-3.0YM5、CDSOT23-T36C、CDSOT23-24C、TL431CDBZR、TL431IDBZR、TLV1117CDCYR、LM317EMPX、NCP1117ST33T3G、NCP1117ST50T3G、PESD5V0V1BL、PESD5V0V1BSF、PESD2CAN、PESD5V0S1BA、PESD12VS2UT、PESD15VL2BT、PESD36VS2UT、PESD3V3L1BA、PESD24VL2BT、IP4220CZ6、IP4223CZ6、BCP56-16、BCP51-16、BSN20、uClamp0511T.TCT、SRV05-4.TCT、RCLAMP0531T.TCT、RCLAMP0502A.TCT、SD05C.TCT、SR05.TCT、RCLAMP0524J.TCT、ESD5Z2.5T1G、ESD5Z3.3T1G、CM1213A-01SO、CM1213A-04SO、NTR4501NT1G、NTR4502PT1G、NTR4170NT1G、NTR4171PT1G、RLST23A032C、RLST23A0122C、RLST23A052C、PRTR5V0U2X、GBLC03CI-LF-T7、GBLC03C-LF-T7、GBLC05CI-LF-T7、GBLC05C-LF-T7、GBLC08CI-LF-T7、GBLC08C-LF-T7、GBLC12CI-LF-T7、GBLC12C-LF-T7、GBLC15CI-LF-T7、GBLC24CI-LF-T7、GBLC24C-LF-T7、PSD03C-LF-T7、PSD05-LF-T7、PSD05C-LF-T7、PSD08C-LF-T7、PSM712-LF-T7、AO3400、AO3400A、AO3401A、AO3402、TPSMB6.8CA-E3/52、TPSMB6.8A、TPSMB47A、TPSMB43A、TPSMB39A、TPSMB36A、TPSMB33A、TPSMB30A、STTH208、、IRLML2502TRPBF、TP4101、IRLML6401TRPBF、TLV70433DBVR、PESD5V0S1BB、PSM712-LF-T7、NTR4171PT1G、SGM2036-3.3YUDH4G/TR 、SGM2036-1.8YUDH4G/TR、DMN2046U-7等等。
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3月27日，IC Insights最新报告指出，美国去年在全球IC设计领域的市场占有率为68%，仅比2010年低一个百分点。中国大陆在2010年以来增长最快，目前拥有13%的市场占有率。
报告指出，自2010年以来，IC设计市场份额增长最快的是中国大陆，中国大陆供应商去年占有13%的市场份额，而2010年仅为5%。
在去年五大增长最快的IC设计公司(销售额超过2亿美元)中，除了英伟达，其他四家都是中国大陆企业，包括比特大陆、北京矽成、全志科技和海思半导体。但是，如果除去海思半导体(90%以上的销售额来自其母公司华为)和中兴通讯和大唐的内部转让时，中国IC设计公司的市场占有率就下降了约一半，仅有7%。
其中2018 年成长最显著的是比特大陆，销售额达到了197%增长率。这家公司在过去三年营收迅速成长，2016 年为2.78 亿美元，2017 年剧增为25 亿，估计2018 年营收将有44 亿美元。
有趣的是，比特大陆并不算是半导体公司，比特大陆是加密货币比特币的挖矿机芯片供应商，比特大陆主要营收主要是来自于晶圆代工龙头台积电。
IC Insights认为，自2016年以来比特大陆加密货币采矿设备销售的急剧上升和下降，是台积电过去两年销售波动的主要原因。
反观其他地区，欧洲公司在2018年仅占IC设计市场份额的2%，而2010年为4%。这一份额的减少部分是由于高通收购了英国的第二大IC设计公司CSR，英特尔又收购了德国第三大IC设计公司Lantiq。这些收购使得总部位于英国的Dialog(2018年的销售额为14.4亿美元)和挪威的Nordic(2018年的销售额为2.71亿美元)成为去年欧洲仅有的两家挤入排名前50位的IC设计公司。
去年，韩国和日本都只有一家IC设计公司进入全球前50，日本的Megachips去年增长了19%，销售额达到7.6亿美元。韩国的Silicon Work则增长了17%，达到7.18亿美元。
总体而言，全球IC设计市场的销售额在2018年增加了83亿美元，比2017年增长了8%。
去年前50家IC设计供应商中有21家的增长率达到两位数，而5家公司则遭遇了两位数的下滑。
IC Insights认为，大多数大型IC设计供应商将继续表现良好，并将有助于推动主要IC代工厂(例如台积电，格芯，三星，联电等)的销售额大幅增长。此外，随着门槛(即高设计成本，越来越难以获得风投资金等)的增加，以及新的IC设计公司的越来越少，IC Insights认为IC设计公司上市总量的继续增长，会导致半导体产业形成一种头重脚轻的趋势。
