SI2303CDS-T1-GE3VISHAY30V0.19Ohm原装正品大量现货

时间:2019-3-20 10:43:00

SI2303CDS-T1-GE3 VISHAY 30 V 0.19 Ohm原装正品大量现货

SI2303CDS-T1-GE3 VISHAY 30 V 0.19 Ohm Surface Mount Power MosFet - SOT-23-3

SI2303CDS-T1-GE3产品详细规格

标准包装 3,000

FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide

FET特点 Standard

漏极至源极电压(VDSS) 30V

电流-连续漏极(编号)@ 25°C 2.7A

Rds(最大)@ ID,VGS 190 mOhm @ 1.9A, 10V

VGS(TH)(最大)@ Id 3V @ 250μA

栅极电荷(Qg)@ VGS 8nC @ 10V

输入电容(Ciss)@ Vds的 155pF @ 15V

功率 - 最大 2.3W

安装类型 Surface Mount

包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)

包装材料 Tape & Reel (TR)

包装 3SOT-23

渠道类型 P

通道模式 Enhancement

最大漏源电压 30 V

最大连续漏极电流 1.9 A

RDS -于 190@10V mOhm

最大门源电压 ±20 V

典型导通延迟时间 36 ns

典型上升时间 37 ns

典型关闭延迟时间 12 ns

典型下降时间 9 ns

工作温度 -55 to 150 °C

安装 Surface Mount

标准包装 Tape & Reel

产品种类 MOSFET

RoHS RoHS Compliant

晶体管极性 P-Channel

漏源击穿电压 30 V

源极击穿电压 +/- 20 V

连续漏极电流 1.9 A

抗漏源极RDS ( ON) 0.19 Ohms

配置 Single

最高工作温度 + 150 C

安装风格 SMD/SMT

封装/外壳 SOT-23-3

封装 Reel

下降时间 37 ns

最低工作温度 - 55 C

功率耗散 1 W

上升时间 37 ns

工厂包装数量 3000

零件号别名 SI2303CDS-GE3

最大门源电压 ±20

包装宽度 1.4(Max)

PCB 3

最大功率耗散 1000

最大漏源电压 30

欧盟RoHS指令 Compliant

最大漏源电阻 190@10V

每个芯片的元件数 1

最低工作温度 -55

供应商封装形式 SOT-23

标准包装名称 SOT-23

最高工作温度 150

包装长度 3.04(Max)

引脚数 3

包装高度 1.02(Max)

最大连续漏极电流 1.9

铅形状 Gull-wing

P( TOT ) 2.3W

匹配代码 SI2303CDS

单位包 3000

标准的提前期 15 weeks

最小起订量 3000

极化 P-CHANNEL

无铅Defin RoHS-conform

我(D ) 2.7A

V( DS ) 30V

R( DS上) 0.158Ohm

FET特点 Standard

安装类型 Surface Mount

电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 2.7A (Tc)

的Vgs(th ) (最大)@ Id 3V @ 250μA

供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)

开态Rds(最大)@ Id ,V GS 190 mOhm @ 1.9A, 10V

FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大 2.3W

漏极至源极电压(Vdss) 30V

输入电容(Ciss ) @ VDS 155pF @ 15V

闸电荷(Qg ) @ VGS 8nC @ 10V

封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

其他名称 SI2303CDS-T1-GE3CT

类别 Power MOSFET

外形尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm

身高 1.02mm

长度 3.04mm

最大漏源电阻 0.19 Ω

最大功率耗散 1 W

包装类型 SOT-23

典型栅极电荷@ VGS 2 nC V @ 4.5, 4 nC V @ 10

典型输入电容@ VDS 155 pF V @ 15

宽度 1.4mm

RDS(ON) 190 mOhms

栅源电压(最大值) ?20 V

漏源导通电阻 0.19 ohm

工作温度范围 -55C to 150C

极性 P

类型 Power MOSFET

元件数 1

工作温度分类 Military

漏源导通电压 30 V

弧度硬化 No

Continuous Drain Current Id :-2.7A

Drain Source Voltage Vds :-30V

On Resistance Rds(on) :0.158ohm

Rds(on) Test Voltage Vgs :-10V

Threshold Voltage Vgs :-3V

功耗 :1W

Operating Temperature Min :-55°C

Operating Temperature Max :150°C

Transistor Case Style :SOT-23

No. of Pins :3

MSL :MSL 1 - Unlimited

Current Id Max :-1.9A

工作温度范围 :-55°C to +150°C

Voltage Vgs Max :-20V

Weight (kg) 0.000008

Tariff No. 85412900

associated D00840

MC33260

3209885-M

SI2303CDS-T1-GE3

2024-4-19 15:36:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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