时间：2020-12-11 10:12:00
产品属性 属性值
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 75 V
Id-连续漏极电流: 140 A
Rds On-漏源导通电阻: 7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V， + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 150 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 330 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
配置: Single
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.4 mm
商标: Infineon / IR
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
单位重量: 6 g
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
HEXFET Power MOSFET | IRF International Rectifier |  |   | |
Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.007ohm, Id=140A?? | IRF International Rectifier | | | |
N-Channel MOSFET Transistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
Integrated Starter Alternator | KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd. |  | | |
Advanced Process Technology | IRF International Rectifier | | | |
AUTOMOTIVE MOSFET | IRF International Rectifier | | | |
Isc N-Channel MOSFET Transistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | | |
Advanced Process Technology | IRF International Rectifier | | | |
Advanced Process Technology | IRF International Rectifier | | | |
AUTOMOTIVE MOSFET | IRF International Rectifier | | |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IR | 24+ | TO-220-3 | 1258 | ||||
INFINEON/英飞凌 | 21+ | TO-220 | 13000 | 原装现货 | |||
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IR | 23+ | TO-220AB | 65400 |
