代理NTJD1155LT1G进口原装现货

时间:2020-7-13 11:41:00

品牌:ON/安森美 生产批号:2020+ 封装:SOT-363

数据列表 NTJD1155L;_

标准包装 3,000

包装 标准卷带

零件状态 有源

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

系列 -

其它名称 NTJD1155LT1GOSTR

规格

FET 类型 N 和 P 沟道

FET 功能 标准

漏源电压(Vdss) 8V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.3A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 175 毫欧 @ 1.2A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) -

功率 - 最大值 400mW

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装型

封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装 SC-88/SC70-6/SOT-363

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

Load Switch with Level-Shift

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

台舟电子台舟电子股份有限公司

Power MOSFET High Side Load Switch with Level??hift, P??hannel SC??8

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体

Load Switch with Level-Shift

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

台舟电子台舟电子股份有限公司

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台舟电子台舟电子股份有限公司

2025-9-30 22:59:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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