位置：NESG220034-T1 > NESG220034-T1详情
NESG220034-T1中文资料
| 厂家型号 | NESG220034-T1 |
| 文件大小 | 97.46Kbytes |
| 页面数量 | 9页 |
| 功能描述 | NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG) NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD(34 PKG) |
| 数据手册 | |
| 简称 | NEC【瑞萨】 |
| 生产厂商 | Renesas Electronics America |
| 中文名称 | 日本瑞萨电子株式会社官网 |
| LOGO |
|
NESG220034-T1数据手册规格书PDF详情
NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR
UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION
3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)
FEATURES
• The device is an ideal choice for low noise, low distortion amplification.
NF = 0.7 dB TYP. @ VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 1 GHz
• PO (1 dB) = 22.5 dBm TYP. @ VCE = 5 V, IC (set) = 40 mA, f = 1 GHz
• OIP3 = 35 dBm TYP. @ VCE = 5 V, IC (set) = 40 mA, f = 1 GHz
• Maximum stable power gain: MSG =12.5 dB TYP. @ VCE = 5 V, IC = 40 mA, f = 1 GHz
• SiGe HBT technology (UHS2) : fT = 11.5 GHz
• This product is improvement of ESD of NESG2xxx series.
• 3-pin power minimold (34 PKG)
NESG220034-T1产品属性
- 类型
描述
- 型号
NESG220034-T1
- 制造商
RENESAS
- 制造商全称
Renesas Technology Corp
- 功能描述
NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD(34 PKG)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
22+ |
SOT-89 |
20000 |
保证原装正品,假一陪十 |
|||
NEC |
22+ |
SOT-89 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
NEC/RENESAS瑞萨 |
23+ |
SOT-89 |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
|||
NEC |
21+ |
SOT23 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
NEC |
1742+ |
SOT23 |
98215 |
只要网上有绝对有货!只做原装正品! |
|||
NEC |
20+ |
SOT23 |
49000 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
NEC |
23+ |
SOT23 |
12800 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
|||
NEC |
22+ |
SOT23 |
25000 |
只有原装原装,支持BOM配单 |
|||
RENESAS |
24+ |
N/A |
8000 |
全新原装正品,现货销售 |
|||
RENESAS |
NA |
8560 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
NESG220034-T1 资料下载更多...
NESG220034-T1 芯片相关型号
NEC相关芯片制造商
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
Renesas Electronics America 日本瑞萨电子株式会社
中文资料: 17168条
Renesas Electronics America是日本瑞萨电子株式会社（Renesas Electronics Corporation）在美国的分支机构，专注于提供各种高性能微控制器、模拟和数字集成电路解决方案。瑞萨电子成立于2002年，是全球领先的半导体制造商，致力于满足汽车、工业、消费电子和通信等多领域的需求。 Renesas Electronics America 提供的产品包括微控制器、微处理器、模拟IC、功率管理IC和系统级集成解决方案，广泛应用于各类嵌入式系统和智能设备中。公司以技术创新为核心竞争力，致力于不断推动产品性能和能效的提升，以满足客户在智能化和数字化时代的需求。
