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位置：NESG220033 > NESG220033详情

厂家型号	NESG220033
文件大小	224.53Kbytes
页面数量	10页
功能描述	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG) NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD(33 PKG)
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生产厂商	RENESAS

NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)

FEATURES

• The device is an ideal choice for low noise, low distortion amplification.

NF = 0.75 dB TYP. @ VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 1 GHz

• PO (1 dB) = 21.5 dBm TYP. @ VCE = 5 V, IC (set) = 40 mA, f = 1 GHz

• OIP3 = 35 dBm TYP. @ VCE = 5 V, IC (set) = 40 mA, f = 1 GHz

• Maximum stable power gain: MSG =14.0 dB TYP. @ VCE = 5 V, IC = 40 mA, f = 1 GHz

• SiGe HBT technology (UHS2) : fT = 12.5 GHz

• This product is improvement of ESD of NESG2xxx series.

• 3-pin minimold (33 PKG)

类型
描述
型号
NESG220033
制造商
RENESAS
制造商全称
Renesas Technology Corp
功能描述
NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD(33 PKG)

NESG220033供应商...

更新时间：2025-11-28 15:07:00

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