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DESCRIPTION
The NE425S01 is a Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent low noise and high associated gain make it suitable for DBS and another commercial systems.
FEATURES
• Super Low Noise Figure & High Associated Gain
NF = 0.60 dB TYP., Ga = 12.0 dB TYP. at f = 12 GHz
• Gate Length: Lg ≤ 0.20 µm
• Gate Width : Wg = 200 µm
NE425S01-T1B产品属性
- 类型
描述
- 型号
NE425S01-T1B
- 功能描述
射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET
- RoHS
否
- 制造商
TriQuint Semiconductor
- 技术类型
pHEMT
- 频率
500 MHz to 3 GHz
- 增益
10 dB
- 噪声系数
正向跨导
- gFS（最大值/最小值）
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压
- 8 V
- 漏极连续电流
3 A
- 最大工作温度
+ 150 C
- 功率耗散
10 W
更新时间：2025-11-22 10:20:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
SO86 |
5000 |
全现原装公司现货 |
|||
NEC |
25+23+ |
SO86 |
29176 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
|||
NEC |
6000 |
面议 |
19 |
DIP/SMD |
|||
NEC |
19+ |
SO86 |
20000 |
1200 |
|||
NEC |
24+ |
SO86 |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
|||
NEC |
23+ |
SO86 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
NEC |
21+ |
SO86 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
NEC |
24+ |
SO86 |
18560 |
假一赔十全新原装现货特价供应工厂客户可放款 |
|||
NEC |
24+ |
NA/ |
4415 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
NEC |
2023+ |
SO86 |
50000 |
原装现货 |
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