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NE425S01数据手册规格书PDF详情
DESCRIPTION
The NE425S01 is a Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent low noise and high associated gain make it suitable for DBS and another commercial systems.
FEATURES
• Super Low Noise Figure & High Associated Gain
NF = 0.60 dB TYP., Ga = 12.0 dB TYP. at f = 12 GHz
• Gate Length: Lg ≤ 0.20 µm
• Gate Width : Wg = 200 µm
NE425S01产品属性
- 类型
描述
- 型号
NE425S01
- 功能描述
射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET
- RoHS
否
- 制造商
TriQuint Semiconductor
- 技术类型
pHEMT
- 频率
500 MHz to 3 GHz
- 增益
10 dB
- 噪声系数
正向跨导
- gFS（最大值/最小值）
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压
- 8 V
- 漏极连续电流
3 A
- 最大工作温度
+ 150 C
- 功率耗散
10 W
更新时间：2025-12-2 17:40:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
25+ |
SMT |
18202 |
NEC原装特价NE425S01即刻询购立享优惠#长期有货 |
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NEC |
24+ |
SO86 |
1000 |
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NEC |
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SO86 |
12000 |
只做全新进口原装,现货库存 |
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NEC |
23+ |
NA |
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专做原装正品,假一罚百! |
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NEC |
21+ |
SO86 |
20000 |
全新原装 公司现货 价优 |
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NEC |
21+ |
SO86 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
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NEC |
22+ |
SMT |
3000 |
原装正品,支持实单 |
|||
NEC |
24+ |
SO86 |
3000 |
全新原装现货 优势库存 |
|||
NEC |
23+ |
SO86 |
20000 |
全新原装假一赔十 |
|||
NEC |
2003 |
SO86 |
464 |
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