| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
P-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES • Low RDS(on) • Improved inductive ruggedness • Fsat switching times • Rugged polysilicon gate cell structure • Low input capacitance • Extended safe operating area • Improved high temperature reliability | SAMSUNG 三星 |   | ||
1:18 LVCMOS FANOUT BUFFER 1:18 LVCMOS Fanout Buffer The MPC9140 is a 1:18 LVCMOS fanout buffer targeted to support Intel based Pentium II™ microprocessor chip sets. The device features 18 low skew outputs optimized to drive the clock inputs of standard unbuffered SDRAM modules. Standard unbuffered SDRAM modules require fo | MOTOROLA 摩托罗拉 | | ||
P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS 文件：14.3 Kbytes Page：2 Pages | SEME-LAB | | ||
P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS 文件：14.71 Kbytes Page：2 Pages | SEME-LAB | | ||
Precision Micropower Shunt Voltage Reference 文件：192.44 Kbytes Page：12 Pages | NSC 国半 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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