| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NWBP85002 | 接口-信号缓冲器、中继器 ASSY BRIDGE PLUS | SCHNEIDER 施耐德 |   | |
GaAs MES FET DESCRIPTION The NE8500295 power GaAs FET covers 3.5 to 8.5 GHz frequency range with three different Class A, 2.0 W partially matched devices. Each packaged device has an input lumped element matching network. NE8500200 is the six-cells recessed gate chip used in ‘95’ package. The device incorp | RENESAS 瑞萨 | | ||
2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET DESCRIPTION The NE8500295 power GaAs FET covers 3.5 to 8.5 GHz frequency range with three different Class A, 2.0 W partially matched devices. Each packaged device has an input lumped element matching network. NE8500200 is the six-cells recessed gate chip used in ‘95’ package. The device incorpo | NEC 瑞萨 | | ||
2 WATT C-BAND POWER GaAs MESFET 文件：60.23 Kbytes Page：6 Pages | NEC 瑞萨 | | ||
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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