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NUS5531MTR2G

Main Switch Power MOSFET and Single Charging BJT

文件:150.98 Kbytes Page:10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NUS5531MTR2G

封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 包装:卷带(TR) 描述:MOSFET/BJT SGL P-CH 12V 8-WDFN 分立半导体产品 晶体管 - 特殊用途

ONSEMI

安森美半导体

NUS5531MTR2G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NUS5531MTR2G

  • 功能描述

    MOSFET 12V PFET W 20V PNP

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-11 23:39:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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