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NUS5530MNR2G

Integrated Power MOSFET with PNP Low VCE(sat) Switching Transistor

Integrated Power MOSFET with PNP Low VCE(sat) Switching Transistor This integrated device represents a new level of safety and board−space reduction by combining the 20 V P−Channel FET with a PNP Silicon Low VCE(sat) switching transistor. This newly integrated product provides higher efficiency a

ONSEMI

安森美半导体

NUS5530MNR2G

封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘 包装:管件 描述:IC MOSFET W/PNP SW TRANS 8-DFN 分立半导体产品 晶体管 - 特殊用途

ONSEMI

安森美半导体

NUS5530MNR2G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NUS5530MNR2G

  • 功能描述

    MOSFET INTEGRATED POWER BJT

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-22 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
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