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NUS3116MT

Power MOSFET 12V 6.2A 110 mOhm Dual P-Channel DFN8 with PNP Low VCE Transistors

This P-Channel Power MOSFET integrates one high performance power MOSFET and two Low Vce(sat) transistors, greatly reducing the layout space and optimizing charging performance in battery-powered portable electronics. • High Performance Power MOSFET + Dual Low Vce(sat) Transistors as Charging Power Mux\n• Independent Pin-out Provides Circuit Flexibility\n• This is a Pb-Free Device;

ONSEMI

安森美半导体

NUS3116MT

Main Switch Power MOSFET and Dual Charging BJT

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ONSEMI

安森美半导体

封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 功能:电源管理 包装:管件 描述:IC BATT PWR MGMT 8DFN 集成电路(IC) 电池管理

ONSEMI

安森美半导体

Main Switch Power MOSFET and Dual Charging BJT

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ONSEMI

安森美半导体

ULTRA-FAST LOW-POWER PRECISION COMPARATORS

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德州仪器

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德州仪器

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德州仪器

NUS3116MT产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NUS3116MT

  • 制造商

    ONSEMI

  • 制造商全称

    ON Semiconductor

  • 功能描述

    Main Switch Power MOSFET and Dual Charging BJT

更新时间:2026-5-14 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi
25+
8-WDFN(3x3)
11528
样件支持,可原厂排单订货!
onsemi
25+
8-WDFN(3x3)
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只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
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WDFN8
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ON(安森美)
24+
N/A
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原装正品现货支持实单
ON(安森美)
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60000
只有原装 可配单
ON(安森美)
23+
标准封装
5000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
ONSemiconductor
24+
8-DFN(3x3)
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