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NUS3116MTR2G中文资料

厂家型号

NUS3116MTR2G

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178.74Kbytes

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10

功能描述

Main Switch Power MOSFET and Dual Charging BJT

MOSFET OSPI QUAD BUS BUFFER

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

NUS3116MTR2G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NUS3116MTR2G

  • 功能描述

    MOSFET OSPI QUAD BUS BUFFER

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-7 14:14:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSEMI/安森美
25+
DFN
32360
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只做正品原装现货
ON(安森美)
25+
标准封装
8800
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ON(安森美)
24+
N/A
18000
原装正品现货支持实单