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NTMD3N08LR2

Power MOSFET 2.3 Amps, 80 Volts

Power MOSFET 2.3 Amps, 80 Volts N−Channel Enhancement−Mode SO−8 Dual Package Features • Ultra Low On−Resistance Provides Higher Efficiency ♦ RDS(on) = 0.215Ω, VGS = 10 V ♦ RDS(on) = 0.245Ω, VGS = 5.0 V • Low Reverse Recovery Losses • Internal RG = 50Ω • Designed for Power Management

ONSEMI

安森美半导体

NTMD3N08LR2

Power MOSFET 2.3 Amps, 80 Volts

ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET 2.3 Amps, 80 Volts N−Channel Enhancement−Mode SO−8 Dual Package

ONSEMI

安森美半导体

NTMD3N08LR2产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NTMD3N08LR2

  • 功能描述

    MOSFET 80V 2.3A N-Channel

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-19 22:30:00
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