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NTLGD3502NT2G

Power MOSFET 20 V, 5.8 A/4.6 A Dual N?묬hannel, DFN6 3x3 mm Package

文件:87.65 Kbytes Page:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTLGD3502NT2G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NTLGD3502NT2G

  • 功能描述

    MOSFET NFET DFN 20V 4.6A 3X3 60M

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-3-2 23:55:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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