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NTLGD3502NT2G

Power MOSFET 20 V, 5.8 A/4.6 A Dual N?묬hannel, DFN6 3x3 mm Package

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ONSEMI

安森美半导体

NTLGD3502NT2G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NTLGD3502NT2G

  • 功能描述

    MOSFET NFET DFN 20V 4.6A 3X3 60M

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-4 16:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
25+23+
QFN
18338
绝对原装正品全新进口深圳现货
ON
22+
DFN-6
3000
原装正品,支持实单
ON
25+
DFN-6
4500
全新原装、诚信经营、公司现货销售
ON
23+
QFN
4592
正规渠道,只有原装!
ON
QFN
2000
原装长期供货!
三年内
1983
只做原装正品
ON Semiconductor
23+
6VDFN
9000
原装正品,支持实单
ON
15+
QFN
1
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
ON
2023+
QFN
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
NK/南科功率
2025+
DFN-6
986966
国产

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