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NTHD5904T1

Power MOSFET Dual N-Channel

文件:208.5 Kbytes Page:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTHD5904T1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NTHD5904T1

  • 功能描述

    MOSFET 2N-CH 20V 3.1A CHIPFET

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 阵列

  • 系列

    -

  • 产品目录绘图

    8-SOIC Mosfet Package

  • 标准包装

    1

  • 系列

    - FET

  • 2 个 N 沟道(双) FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    - 功率 -

  • 最大

    1.4W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    PowerPAK? SO-8

  • 供应商设备封装

    PowerPAK? SO-8

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 产品目录页面

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    SI7948DP-T1-GE3DKR

更新时间:2026-1-4 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
24+
1206-8
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
ON/安森美
24+
NA/
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TSOP1206-
20000
ON/安森美
2450+
SOT23-8
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只做原装正品现货或订货!终端客户免费申请样品!
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22+
SC-6
3000
原装正品,支持实单
ON/安森美
21+
NA
12820
只做原装,质量保证

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