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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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NTE65101 | Integrated Circuit 256 x 4-Bit Static Random Access Memory (SRAM) Description: The NTE65101 is a CMOS 1024–bit device organized in 256 words by 4 bits in a 22–Lead DIP type package. This device offers ultra low power and fully static operation with a single 5V supply. Separate data inputs and data outputs permit maximum flexibility in bus–oriented systems. Data | NTE |   | |
NTE65101 | Integrated Circuit 256 x 4-Bit Static Random Access Memory (SRAM) | NTE | | |
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| 替换型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
High-speed 8-bit A/D Converters | ETC1 | ETC1 | |
NTE65101产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTE65101
- 制造商
NTE Electronics
- 功能描述
IC - NMOS 1K SRAM 450NS 22 LEAD DIP
- 制造商
NTE Electronics
- 功能描述
IC-CMOS 1K SRAM
- 制造商
NTE Electronics
- 功能描述
IC, SRAM, 1KBIT, SERIAL, 450NS, 22-DIP; Memory
- Size
1Kbit; Memory
- Configuration
256 x 4; Supply Voltage
- Min
4.75V; Supply Voltage
- Max
5.25V; Memory Case
- Style
DIP; No. of
- Pins
22; Access
- Time
450ns; Operating Temperature
- Min
-40C
- 制造商
NTE Electronics
- 功能描述
SRAM Chip Async Single 5V 1K-Bit 256 x 4-Bit 450ns 22-Pin PDIP
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
OTAX |
DIP-3 |
35560 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
YAGEO |
25+ |
N/A |
50000 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
|||
YAGEO |
25+ |
N/A |
59948 |
样件支持,可原厂排单订货! |
|||
2022+ |
1 |
全新原装 货期两周 |
NTE65101规格书下载地址
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