位置:首页 > IC中文资料第9324页 > NTE4151PT1G

NTE4151PT1G价格

参考价格:¥0.4100

型号:NTE4151PT1G 品牌:ONSemi 备注:这里有NTE4151PT1G多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,NTE4151PT1G批发/采购报价,NTE4151PT1G行情走势销售排行榜,NTE4151PT1G报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
NTE4151PT1G

Small Signal MOSFET ??0 V, ??60 mA, Single P?묬hannel, Gate Zener, SC??5, SC??9

文件:72.26 Kbytes Page:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTE4151PT1G

Small Signal MOSFET

文件:76.46 Kbytes Page:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Small Signal MOSFET ??0 V, ??60 mA, Single P?묬hannel, Gate Zener, SC??5, SC??9

文件:72.26 Kbytes Page:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Small Signal MOSFET ??0 V, ??60 mA, Single P?묬hannel, Gate Zener, SC??5, SC??9

文件:72.26 Kbytes Page:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Trench Power MOSFET ??0 V, ??.2 A, Single P?묬hannel, SC??8

文件:143.67 Kbytes Page:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Trench Power MOSFET ??0 V, ??.2 A, Single P?묬hannel, SC??8

文件:143.67 Kbytes Page:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTE4151PT1G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NTE4151PT1G

  • 功能描述

    MOSFET -20V -760mA P-Channel

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-8-1 8:08:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
24+
SOT-523
37279
郑重承诺只做原装进口现货
ON(安森美)
26+
SC-89
10548
原厂订货渠道,支持账期,一站式服务!
ON
2016+
SOT523
52264
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
ON
24+
SOT-523
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
ON/安森美
25+
SC-89-3
43041
ON/安森美全新特价NTE4151PT1G即刻询购立享优惠#长期有货
ON
23+
65480
ON
25+
SOT523
10000
原装正品,支持实单,可配单
ON(安森美)
23+
SC-89
16930
公司只做原装正品,假一赔十
ON/安森美
新年份
SOT-523
62000
一级代理原装正品现货,支持实单!
ON
23+
SOT523
20000

NTE4151PT1G数据表相关新闻