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NTE343

Silicon NPN Transistor RF Power Output (PO = 14W, 175MHz)

Description: The NTE343 is a silicon NPN epitaxial planer type transistor designed for RF power amplifiers on VHF band mobile radio applications. Features: ● High Power Gain: Gpe ≥ 7.5dB (VCC = 13.5V, PO = 14W, f = 175MHz) ● Ability to Withstand more than 20:1 VSWR Load when Operated at: VCC =

NTE

N-CHANNEL POWER MOSFETS

N-Channel Power MOSFETs

SAMSUNG

三星

High Voltage Operational Amplifier

文件:228.44 Kbytes Page:12 Pages

NSC

国半

SINGLE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIER

文件:114.26 Kbytes Page:7 Pages

TI

德州仪器

SINGLE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIER

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TI

德州仪器

NTE343产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NTE343

  • 制造商

    NTE Electronics

  • 功能描述

    TRANSISTOR NPN SILICON 35V IC-3.5 PO=14W 1754MHZ RF POWER OUTPUT

  • 制造商

    NTE Electronics

  • 功能描述

    T-NPN-SI-RF PO-136-174MHZ

  • 制造商

    NTE Electronics

  • 功能描述

    Trans GP BJT NPN 17V 3.5A 3-Pin(3+Tab)

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