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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
NTE2330

Silicon NPN Transistor High Gain Amp w/Internal Zener Diode

Features: • Excellent Wide Safe Operating Area • Included Avalanche Diode • High DC Current Gain • High Collector Power Dissipation Capability

NTE

NTE2330

Bi-Polar transistor Selector Guide

NTE

PLLatinum??Dual Frequency Synthesizer for RF Personal Communications

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NSC

国半

PLLatinum??Dual Frequency Synthesizer for RF Personal Communications

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NSC

国半

PLLatinum??Low Power Dual Frequency Synthesizer for RF Personal Communications

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NSC

国半

PLLatinum??Low Power Dual Frequency Synthesizer for RF Personal Communications

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NSC

国半

NTE2330产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NTE2330

  • 制造商

    NTE Electronics

  • 功能描述

    TRANSISTOR NPN SILICON 55V+-10V IC=4A TO-3P CASE HIGH GAIN AMP WITH INTERNAL ZEN

  • 制造商

    NTE Electronics

  • 功能描述

    T-NPN-SI DARLINGTON

  • 制造商

    NTE Electronics

  • 功能描述

    Trans GP BJT NPN 55V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247

更新时间:2026-5-13 16:14:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NTE
23+
TO-220
39265
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
NTE
23+
65480
26+
N/A
76000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
2022+
2
全新原装 货期两周

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