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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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NTD32N06L | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 32A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 28mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 |   | |
NTD32N06L | Power MOSFET 32 Amps, 60 Volts, Logic Level(N-Channel DPAK) 文件：66.42 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
NTD32N06L | Power MOSFET 32 Amps, 60 Volts 文件：103.98 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
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isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 32A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 26mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
32 Amps, 60 Volts, N?묬hannel DPAK 文件：71.84 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 32A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 28mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
Power MOSFET 32 Amps, 60 Volts 文件：103.98 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：960.09 Kbytes Page：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
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N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：896.96 Kbytes Page：6 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
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NTD32N06L产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTD32N06L
- 功能描述
MOSFET 60V 32A N-Channel
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI/安森美 |
25+ |
TO252 |
20300 |
ONSEMI/安森美原装特价NTD32N06LT4G即刻询购立享优惠#长期有货 |
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