NTD24N06LT4价格

参考价格:¥1.4807

型号:NTD24N06LT4G 品牌:ONSemi 备注:这里有NTD24N06LT4多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,NTD24N06LT4批发/采购报价,NTD24N06LT4行情走势销售排行榜,NTD24N06LT4报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
NTD24N06LT4

Power MOSFET 24 Amps, 60 Volts Logic Level, N?묬hannel DPAK

文件:87.12 Kbytes Page:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

TrenchFET® Power MOSFET

TrenchFET® Power MOSFET 175 °C Junction Temperature PRODUCT SUMMARY FEATURES VDS (V) = 60V ID= 35A (VGS=10V)  RDS(ON) 25m (VGS =10V)  RDS(ON) 30m (VGS = 4.5V)

UMW

友台半导体

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 60V, ID= 30A RDS(ON)

BYCHIP

百域芯

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2Tab) DPAK T/R

FEATURES VDS (V) = 60V ID= 35A (VGS=10V) RDS(ON)

EVVOSEMI

翊欧

Power MOSFET 24 Amps, 60 Volts Logic Level, N?묬hannel DPAK

文件:87.12 Kbytes Page:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET

文件:897.13 Kbytes Page:6 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Power MOSFET

文件:122.02 Kbytes Page:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD24N06LT4产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NTD24N06LT4

  • 功能描述

    MOSFET 24V 60A N-Channel

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-3-1 16:49:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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