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NTD18N06L价格
参考价格：￥1.5892
型号：NTD18N06LT4G 品牌：ONSemi 备注：这里有NTD18N06L多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，NTD18N06L批发/采购报价，NTD18N06L行情走势销售排行榜，NTD18N06L报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NTD18N06L | Power MOSFET MOSFET – Power, N-Channel, Logic Level, DPAK 18 A, 60 V Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits. Features • AEC Q101 Qualified − NTDV18N06L • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant Typical | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NTD18N06L | Power MOSFET 18 A, 60 V, Logic Level N.Channel DPAK MOSFET – Power, N-Channel, Logic Level, DPAK 18 A, 60 V Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits. Features • AEC Q101 Qualified − NTDV18N06L • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant Typical | ONSEMI 安森美半导体 | | |
NTD18N06L | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 18A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 65mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC | ISC 无锡固电 | | |
NTD18N06L | Power MOSFET 文件：79.98 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
NTD18N06L | 单 N 沟道，逻辑电平，功率 MOSFET，60V，18A，65mΩ | ONSEMI 安森美半导体 | | |
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS= 60V, ID= 30A RDS(ON) | Bychip 百域芯 | | ||
Power MOSFET MOSFET – Power, N-Channel, Logic Level, DPAK 18 A, 60 V Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits. Features • AEC Q101 Qualified − NTDV18N06L • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant Typical | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET 18 Amps, 60 Volts 文件：157.38 Kbytes Page：9 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET 文件：79.98 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET 文件：79.98 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：960.08 Kbytes Page：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET 文件：897.07 Kbytes Page：6 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
Power MOSFET 文件：79.98 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET 文件：79.98 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET 文件：79.98 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET 文件：897.28 Kbytes Page：6 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel Enhancement InPower Product Lines | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | | ||
N-Channel Enhancement InPower Product Lines | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | | ||
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：572.97 Kbytes Page：6 Pages | ADV 爱德微 | | ||
N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package 文件：1.21634 Mbytes Page：7 Pages | FOSHAN 蓝箭电子 | | ||
N-Channel MOSFET 文件：1.20989 Mbytes Page：4 Pages | KEXIN 科信电子 | |
NTD18N06L产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTD18N06L
- 功能描述
MOSFET 60V 18A N-Channel
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
TO-252 |
14548 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
|||
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
3357 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
ON |
2016+ |
SOT-252 |
3500 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
ON |
23+ |
TO252 |
2500 |
全新原装假一赔十 |
|||
ON |
24+ |
TO-252 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
原厂原封可拆样 |
64687 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
|||
ON/安森美 |
22+ |
SOT-252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
TO252 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
ON |
20+ |
SOT252 |
2500 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
ONSEMI/安森美 |
22+ |
TO-252 |
12500 |
原装正品支持实单 |
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NTD18N06L规格书下载地址
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2021-8-18NTD20P06L
NTD20P06L，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-9-16NTD20P06K
NTD20P06K，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-9-15
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