型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
NTD18N06-001

Power MOSFET 18 Amps, 60 Volts

文件:168.38 Kbytes Page:9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD18N06-001

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:960.07 Kbytes Page:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTD18N06-001产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NTD18N06-001

  • 功能描述

    MOSFET 60V 18A N-Channel

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-3-3 10:51:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSEMI
25+
8000
原装现货,特价销售
ST/意法
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TO-220
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一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
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