位置:首页 > IC中文资料第3414页 > NTB90N02
型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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NTB90N02 | Power MOSFET 90 Amps, 24 Volts 文件:75.57 Kbytes Page:9 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ||
NTB90N02 | Power MOSFET 90 Amps, 24 Volts 文件:72.62 Kbytes Page:8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ||
NTB90N02 | 功率 MOSFET 24V 90A 5.8 mΩ 单 N 沟道 D2PAK | ONSEMI 安森美半导体 | ||
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Power MOSFET 90 Amps, 24 Volts | ONSEMI 安森美半导体 | |||
Power MOSFET 90 Amps, 24 Volts 文件:72.62 Kbytes Page:8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |||
N-channel 24V - 0.0052ohm - 60A - DPAK - IPAK STripFET TM III Power MOSFET Description This series of products utilizes the latest advanced design rules of ST’s proprietary STripFET™ technology. This is suitable for the most demanding DC-DC converter application where high efficiency is to be achieved. FEATURES ■ RDS(ON) * Qg industry’s benchmark ■ Conducti | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |||
90A, 20V N-CHANNEL POWER MOSFET 文件:131.86 Kbytes Page:3 Pages | UTC 友顺 | |||
N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件:1.06073 Mbytes Page:5 Pages | LEIDITECH 雷卯电子 |
NTB90N02产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTB90N02
- 功能描述
MOSFET 28V 90A N-Channel
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ON |
24+ |
TO-263 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
700 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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ON |
25+ |
TO-263 |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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ONSEMI/安森美 |
25+ |
TO-263 |
20300 |
ONSEMI/安森美原装特价NTB90N02G即刻询购立享优惠#长期有货 |
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ON |
03+ |
TO-263 |
995 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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ON/安森美 |
03+ |
TO-263 |
700 |
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ON |
NEW |
TO-263 |
28610 |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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ON/安森美 |
24+ |
TO-263 |
505348 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
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ONSEMI |
21+ |
D2PAK |
20000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
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ON/安森美 |
2450+ |
TO-263 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
NTB90N02规格书下载地址
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