位置：首页 > IC中文资料第3382页 > NTB6413ANG
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NTB6413ANG | N-Channel Power MOSFET 100 V, 42 A, 28 m廓 文件：149.2 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NTB6413ANG | N-Channel Power MOSFET 100 V, 42 A, 28 m 文件：123.13 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
NTB6413ANG | N-Channel Power MOSFET 文件：85.49 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
Intel® Celeron®/Atom™ Elkhart Lake SoC 3.5” Micro Module Features • Intel® Celeron®/Atom™ Elkhart Lake SoC BGA Processor • Bottom Layer Soldered Processor • 1 x SODIMM socket supports up to 32GB DDR4 3200MTs SDRAM • Supports 3 Independent Displays • M.2 B-Key, M.2 E-Key, uSIM Card Slot • 4 x COM Ports • 2 x USB 3.1 Gen 2 (10Gbps), 4 x USB 2.0 • 2 x In | BCM | | ||
CUSTOMER PRODUCT SPECIFICATION 文件：79.16 Kbytes Page：2 Pages | ALPHAWIRE | | ||
Insulation Piercing Clips 文件：63.11 Kbytes Page：2 Pages | POMONA Pomona Electronics | | ||
30V P-Channel MOSFET 文件：330.56 Kbytes Page：6 Pages | AOSMD 万国半导体 | | ||
CPH6413 文件：44.52 Kbytes Page：4 Pages | SANYO 三洋 | |
NTB6413ANG产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTB6413ANG
- 功能描述
MOSFET NFET D2PAK 100V 42A 28MO
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON Semiconductor |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
ON(安森美) |
25+ |
标准封装 |
8000 |
原装，请咨询 |
|||
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
30 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
ON |
23+ |
TO-263 |
2530 |
原厂原装正品 |
|||
VB |
21+ |
TO263 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
ONSemiconductor |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
|||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-263-2 |
986966 |
国产 |
|||
ON |
23+ |
TO-263 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
VBSEMI/台湾微碧 |
23+ |
TO263 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
ON |
23+ |
TO-263 |
30 |
正规渠道,只有原装! |
NTB6413ANG规格书下载地址
NTB6413ANG参数引脚图相关
- PCBA
- pc817
- pc133
- pc100
- PC/104
- p800
- p600
- otl功率放大器
- opa642
- opa2604
- op37
- op07中文资料
- op07
- OLED显示屏
- oled发光材料
- OLED材料
- ogs
- OEM
- nvidia
- ntc热敏电阻
- NTC20D8
- NTC20D5
- NTC1D20
- NTC1D15
- NTC1D13
- NTC16D9
- NTC16D8
- NTC16D7
- NTC16D5
- NTC120
- NTC111
- NTC110
- NTC10D9
- NTC10D8
- NTC10D7
- NTC10D5
- NTC10
- NTC0805
- NTC0603
- NTBA104
- NTB75N03L09G
- NTB75N03L09
- NTB75N03-6T4G
- NTB75N03-6G
- NTB75N03-06T4
- NTB75N03-06
- NTB75N03-006
- NTB70N08L
- NTB70N08
- NTB708
- NTB707
- NTB6N60T4
- NTB6N60
- NTB65N02RT4G
- NTB65N02RT4
- NTB65N02RG
- NTB65N02R_05
- NTB65N02R
- NTB6448ANG
- NTB6413ANT4G
- NTB6413AN_12
- NTB6413AN
- NTB6412ANT4G
- NTB6412ANG
- NTB6412AN_12
- NTB6412AN
- NTB6411ANT4G
- NTB6411ANG
- NTB6411AN
- NTB6410ANT4G
- NTB6410ANG
- NTB6410AN
- NTB60N06T4G
- NTB60N06T4
- NTB60N06LT4G
- NTB60N06LT4
- NTB60N06LG
- NTB60N06L
- NTB60N06G
- NTB60N06
- NTB5605
- NTB4302
- NTB0104
- NTB0102
- NTA-X
- NTAG213
- NTAG210
- NTA2425
- NTA2410
- NT95089
- NT91215
- NT91214
- NT90TP
- NT90T-C
- NT90T-B
- NT90T
- NT90-B
- NT90-A
- NT90_07
- NT872R
NTB6413ANG数据表相关新闻
NTB35N15T4G MOSFET
NTB35N15T4G
2024-11-26NTBG070N120M3S MOSFET
onsemi 的 NTBG070N120M3S 是应用了 M3S 技术的 EliteSiC、65 mΩ、1200 V SiC MOSFET，采用 D2PAK-7L 封装
2024-4-17NTCC201E4103FT-C
NTC熱敏電阻器 NTC BARE DIE AG2 10K 1% TAPE E4
2023-12-28NTBG014N120M3P
NTBG014N120M3P
2023-7-4NT-AL001
NT-AL001，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-3-7NTB5411NT4G，兴中扬只售原装
NTB5411NT4G，兴中扬只售原装
2019-11-30
DdatasheetPDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
- P103
- P104
- P105
- P106
- P107
