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NTB004N10G

MOSFET - Power, N-Channel 100 V, 4.2 m, 201 A

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ONSEMI

安森美半导体

MOSFET – Power, Single N-Channel 100 V, 3.9 m, 138 A

Features • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free, Beryllium Free and are RoHS Compliant

ONSEMI

安森美半导体

MOSFET - Power, Single N-Channel, D2PAK7 100 V, 4.1 m, 203 A

文件:306.8 Kbytes Page:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-8-16 23:01:00
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原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
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标准封装
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原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品

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