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NT5DS64M8DS-5TI

512Mb DDR SDRAM

Feature z Power Supply Voltage: VDD=VDDQ=2.5V±0.2V (DDR-333) VDD=VDDQ=2.6V±0.1V (DDR-400/500) z 4 internal memory banks for concurrent operation. z CAS Latency: 2, 2.5 and 3 z Double Data Rate Architecture z Bidirectional data strobe (DQS) is transmitted and received with data, to be used

Nanya

南亚科

512Mb DDR SDRAM

Feature z Power Supply Voltage: VDD=VDDQ=2.5V±0.2V (DDR-333) VDD=VDDQ=2.6V±0.1V (DDR-400/500) z 4 internal memory banks for concurrent operation. z CAS Latency: 2, 2.5 and 3 z Double Data Rate Architecture z Bidirectional data strobe (DQS) is transmitted and received with data, to be used

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南亚科

更新时间:2026-1-1 14:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NANYA/南亚
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