型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
NSM21356DW6T1G

DualComplementaryTransistors

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ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

NSM21356DW6T1G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NSM21356DW6T1G

  • 功能描述

    TRANS PNP/NPN MONO BIAS SOT-363

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

  • 系列

    -

  • 标准包装

    3,000

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    70mA,100mA 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    50V 电阻器 -

  • 基极(R1)(欧)

    47k,2.2k 电阻器 -

  • 发射极(R2)(欧)

    47k 在某 Ic、Vce

  • 时的最小直流电流增益(hFE)

    70 @ 5mA,5V

  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)

    300mV @ 500µA,10mA 电流 -

  • 集电极截止(最大)

    - 频率 -

  • 转换

    100MHz,200MHz 功率 -

  • 最大

    250mW

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供应商设备封装

    PG-SOT363-6

  • 包装

    带卷(TR)

  • 其它名称

    SP000784046

更新时间:2024-5-22 19:37:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
HDK
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