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NSM21356DW6T1G中文资料

厂家型号

NSM21356DW6T1G

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4

功能描述

Dual Complementary Transistors

TRANS PNP/NPN MONO BIAS SOT-363

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

NSM21356DW6T1G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NSM21356DW6T1G

  • 功能描述

    TRANS PNP/NPN MONO BIAS SOT-363

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

  • 系列

    -

  • 标准包装

    3,000

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    70mA,100mA 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    50V 电阻器 -

  • 基极(R1)(欧)

    47k,2.2k 电阻器 -

  • 发射极(R2)(欧)

    47k 在某 Ic、Vce

  • 时的最小直流电流增益(hFE)

    70 @ 5mA,5V

  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)

    300mV @ 500µA,10mA 电流 -

  • 集电极截止(最大)

    - 频率 -

  • 转换

    100MHz,200MHz 功率 -

  • 最大

    250mW

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供应商设备封装

    PG-SOT363-6

  • 包装

    带卷(TR)

  • 其它名称

    SP000784046

更新时间:2025-11-24 14:20:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi
25+
6-TSSOP SC-88 SOT-363
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