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iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=13.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.28Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | |||
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650VSuper-JunctionPowerMOSFET 文件:893.4 Kbytes Page:9 Pages | WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company 紫光微无锡紫光微电子有限公司 |
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