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NP90N055VDG-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION The NP90N055VDG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Logic level • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 6.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 45 A) RDS(on)2 = 10.5 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 35 A) • High current

RENESAS

瑞萨

NP90N055VDG-E2-AY产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NP90N055VDG-E2-AY

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

更新时间:2026-2-10 9:36:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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