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NP90N055VDG-E2-AY	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The NP90N055VDG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Logic level • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 6.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 45 A) RDS(on)2 = 10.5 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 35 A) • High current	RENESAS 瑞萨	RENESAS

NP90N055VDG-E2-AY供应商更多...

更新时间：2025-11-20 8:14:00

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2022-4-14
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2021-9-4
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2021-9-3
NPA1006假一罚十
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2020-7-16
NPA-730B-005D
板机接口压力传感器
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2019-1-4