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NP90N055VDG-E2-AY

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP90N055VDGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Logiclevel •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=6.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=45A) RDS(on)2=10.5mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=35A) •Highcurrent

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

NP90N055VDG-E2-AY产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NP90N055VDG-E2-AY

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

更新时间:2024-5-11 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
22+
SOT-252
100000
代理渠道/只做原装/可含税
RENESAS/瑞萨
13+
TO252
1700
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
RENESAS/瑞萨
24+
TO252
990000
明嘉莱只做原装正品现货
R
23+
D-PAK
6000
原装正品,支持实单
RENE
2022
TO-252
80000
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询
RENESAS(瑞萨)/IDT
23+
TO2523
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
RENESAS/瑞萨
22+
TO-252
12500
瑞萨全系列在售,终端可出样品
RENE
TO-252
265209
假一罚十原包原标签常备现货!
NEC-日本电气
24+25+/26+27+
TO-252-3
78800
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
rene
19+
TO-252
87463
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