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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. Features • Super low on-state resistance RDS(on) = 3.8 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 45 A) • Low Ciss: Ciss = 4900 pF TYP. (VDS = 25 V) • Designed for automotive application

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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION The NP90N055VDG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Logic level • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 6.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 45 A) RDS(on)2 = 10.5 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 35 A) • High current

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Product Scout Automotive

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Product Scout Automotive

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丝印代码:D2PAK;isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

更新时间:2026-3-15 20:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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TO-252
986966
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50000
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RENESAS/瑞萨
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