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NP90N03VHG-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description The NP90N03VHG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Low on-state resistance ⎯ RDS(on) = 3.2 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 45 A) • Low input capacitance ⎯ Ciss = 5000 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) • Designed for

RENESAS

瑞萨

NP90N03VHG-E1-AY

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU APPLICATIONS • OR-ing • Server • DC/DC

VBSEMI

微碧半导体

NP90N03VHG-E1-AY产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NP90N03VHG-E1-AY

  • 制造商

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述

    SINGLE MOSFET, NCH, 30V, TO252 - Tape and Reel

  • 制造商

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 30V 90A TO-252

更新时间:2025-8-17 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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原装优势主营型号-可开原型号增税票
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原厂代理 终端免费提供样品

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