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NP88N055MHE-S18-AY

MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=5.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=44A) •Lowinputcapacitance Ciss=7600pFT

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC
NP88N055MHE-S18-AY

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=5.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=44A) •Lowinputcapacitance Ciss=7600pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET

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RENESAS

NP88N055MHE-S18-AY产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NP88N055MHE-S18-AY

  • 制造商

    NEC

  • 制造商全称

    NEC

  • 功能描述

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

更新时间:2025-8-2 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS(瑞萨)/IDT
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RENESAS
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