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NP83P04PDG-E1-AYNote

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET

文件:299.5 Kbytes Page:9 Pages

RENESAS

瑞萨

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION The NP83P04PDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 5.3 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −41.5 A) RDS(on)2 = 8.0 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −41.5 A) • High current rating: I

NEC

瑞萨

更新时间:2025-11-19 13:56:00
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