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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 8.6 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 41 A) • Low input capacitance Ciss = 3500 pF TYP. • Built-in gate protection diode

RENESAS

瑞萨

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

文件:214 Kbytes Page:10 Pages

NEC

瑞萨

NP82N055KHE-E1-AZ产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NP82N055KHE-E1-AZ

  • 制造商

    Renesas Electronics Corporation

更新时间:2025-8-6 23:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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