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NP82N04MUG-S18-AYNote

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET

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RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP82N04MUGandNP82N04NUGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Nonlogiclevel •Superlowon-stateresistance RDS(on)=4.2mΩMAX.(VGS=10V,ID=41A) •Highcurrentrating ID(DC)=±82A •Lowi

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RENESAS
更新时间:2024-6-4 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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