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NP80N055NDG-S18-AYNote

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET

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RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP80N055MDG,NP80N055NDG,andNP80N055PDGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Logiclevel •Superlowon-stateresistance -NP80N055MDG,NP80N055NDG RDS(on)1=6.9mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A)

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更新时间:2024-6-1 11:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESASELECTRONICSAMERICA
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