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NP80N055NDG-S18-AYNote

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

文件:354.48 Kbytes Page:12 Pages

RENESAS

瑞萨

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION The NP80N055MDG, NP80N055NDG, and NP80N055PDG are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Logic level • Super low on-state resistance - NP80N055MDG, NP80N055NDG RDS(on)1 = 6.9 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A)

RENESAS

瑞萨

更新时间:2025-8-14 11:47:00
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