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NP80N055KLE-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 11 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) RDS(on)2 = 13 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 4

NEC

瑞萨

NP80N055KLE-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 11 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) RDS(on)2 = 13 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 40 A) RDS(on)3 = 15 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 40 A) • Low input capacitance Ciss = 2900

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NP80N055KLE-E1-AY

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

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NEC

瑞萨

NP80N055KLE-E1-AY产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NP80N055KLE-E1-AY

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 55V 80A TO-263

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-8-12 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
24+
NA/
800
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
RENESAS/瑞萨
/ROHS.original
原封
22102
电子元件,供应 -正纳电子/ 元器件IC -MOS -MCU.
RENESAS/瑞萨
22+
TO-220
12500
瑞萨全系列在售,终端可出样品
RENESAS
1020+
TO-263
800
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
RENESAS/瑞萨
24+
TO-263
8540
只做原装正品现货或订货假一赔十!
RENESAS
23+
TO-263
3300
原厂原装正品
RENESAS/瑞萨
24+
TO-263
17500
郑重承诺只做原装进口现货
RENESAS/瑞萨
2022+
TO-220
30000
进口原装现货供应,原装 假一罚十
RENESAS
24+
TO-263
16900
原装正品现货支持实单
R
25+
TO-TO-220
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证

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