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NP80N055KHE-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 11 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) • Low input capacitance Ciss = 2400 pF T

NEC

瑞萨

NP80N055KHE-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 11 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) • Low input capacitance Ciss = 2400 pF TYP. • Built-in gate protection diode

RENESAS

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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

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NP80N055KHE-E1-AY产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NP80N055KHE-E1-AY

  • 制造商

    NEC

  • 制造商全称

    NEC

  • 功能描述

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

更新时间:2025-11-19 11:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
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TO263-2
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