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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
NP80N055EHE

MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=11mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2400pFT

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瑞萨瑞萨科技有限公司

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NP80N055EHE

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=11mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2400pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode

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NP80N055

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=11mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2400pFT

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=11mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2400pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode

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SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=11mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2400pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET

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NP80N055EHE-E2-AYNote1,2

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET

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NP80N055CHE

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=11mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2400pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET

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NP80N055EHE产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NP80N055EHE

  • 功能描述

    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB

NP80N055EHE供应商更多...

更新时间：2024-5-11 14:18:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市惊羽科技有限公司
NP80N055KHE
NEC-日本电气
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NP80N055KHE
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