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NP80N03KDE-E2-AY

MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •ChannelTemperature175degreerated •SuperLowon-stateResistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=5V,ID

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC
NP80N03KDE-E2-AY

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

FEATURES •ChannelTemperature175degreerated •SuperLowon-stateResistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=5V,ID=40A) RDS(on)3=11mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2600pFTYP.

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

NP80N03KDE-E2-AY产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NP80N03KDE-E2-AY

  • 制造商

    NEC

  • 制造商全称

    NEC

  • 功能描述

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

更新时间:2024-5-14 11:25:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBsemi
24+
TO263
9000
只做原装正品 有挂有货 假一赔十
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NEC
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NEC
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23+
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公司只做原装正品
NEC
TO-263
22+
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