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NP80N03KDE-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Channel Temperature 175 degree rated • Super Low on-state Resistance RDS(on)1 = 7.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) RDS(on)2 = 9.0 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC
NP80N03KDE-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

FEATURES • Channel Temperature 175 degree rated • Super Low on-state Resistance RDS(on)1 = 7.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) RDS(on)2 = 9.0 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 40 A) RDS(on)3 = 11 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 40 A) • Low input capacitance Ciss = 2600 pF TYP.

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

NP80N03KDE-E1-AY产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NP80N03KDE-E1-AY

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 30V 80A TO-263

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-8-6 9:37:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
23+
D2-PAK
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!
NEC
22+
TO-263
25000
只做原装进口现货,专注配单
NEC
23+
SOT-263
33000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
VBsemi
21+
TO263
10026
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
Renesas
25+
TO-263
37650
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
VBsemi
24+
TO263
9000
只做原装正品 有挂有货 假一赔十
VBsemi
24+
TO263
5000
全新原装正品,现货销售
VBsemi
22+23+
TO263
8000
新到现货,只做原装进口
24+
N/A
46000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
RENESAS/瑞萨
22+
TO-220
12500
瑞萨全系列在售,终端可出样品

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