NP50P06KDG-E1-AY价格

参考价格:¥9.0860

型号:NP50P06KDG-E1-AY-CUTTAPE 品牌:RENESAS ELECTRONICS 备注:这里有NP50P06KDG-E1-AY多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,NP50P06KDG-E1-AY批发/采购报价,NP50P06KDG-E1-AY行情走势销售排行榜,NP50P06KDG-E1-AY报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
NP50P06KDG-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION The NP50P06KDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES •Super low on-state resistance RDS(on)1= 17 mΩMAX. (VGS= −10 V, ID= −25 A) RDS(on)2= 23 mΩMAX. (VGS= −4.5 V, ID= −25 A) •Low input capacitance

NEC

瑞萨

NP50P06KDG-E1-AY

-60V – -50A – P-channel Power MOS FET Application : Automotive

Description This product is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features  Super low on-state resistance : RDS(on) = 17 m Max. ( VGS = -10 V, ID = -25 A ) RDS(on) = 23 m Max. ( VGS = -4.5 V, ID = -25 A )  Low input capacitance : Ciss = 50

RENESAS

瑞萨

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET

文件:294.89 Kbytes Page:9 Pages

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瑞萨

NP50P06KDG-E1-AY产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NP50P06KDG-E1-AY

  • 功能描述

    MOSFET P-CH 60V 50A TO-263

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-11-26 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS(瑞萨)/IDT
24+
TO263
7350
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Renesas(瑞萨)
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RENESAS/瑞萨
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RENESAS
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RENESAS/瑞萨
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原装正品现货支持实单
Renesas
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