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NP50P04SLG-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description The NP50P04SLG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Super low on-state resistance ⎯ RDS(on)1 = 9.6 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −25 A) ⎯ RDS(on)2 = 15 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −25 A) • Low input capacitance

RENESAS

瑞萨

更新时间:2026-2-3 10:20:00
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